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2013-05-23 12:21
求翻译：In 2012 , SWNT FETs with sub-10-nm channel lengths showed a normalized current density ( 2. 41 m A m m–1at0.5V), which is greater than those obtained for silicon devices ( 53是什么意思？ 待解决
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In 2012 , SWNT FETs with sub-10-nm channel lengths showed a normalized current density ( 2. 41 m A m m–1at0.5V), which is greater than those obtained for silicon devices ( 53
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在2012年，单壁碳纳米管的场效应管与子-10-nm的沟道长度显示的归一化电流密度（2，41 MAMM 1at0.5v），这是超过硅器件（53获得的
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2013-05-23 12:23:18
在2012年，有子10 nm通道长度的SWNT FETs显示了正常化的电流密度(2. 41 m上午m-1at0.5V)，比为硅设备获得的那些伟大(53
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2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:26:38
在 2012 年，这个 Fet 与 sub-10-nm 通道长度表明归一化的电流密度 (2.41 m A m m–1at0.5V)，其中大于那些获得了硅设备 (53
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2013-05-23 12:28:18
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