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2013-05-23 12:21
求翻译：The current in a reverse-biased diode is small (typically 10-8 A for silicon) and approximately independent of voltage until the breakdown region at high reverse voltages is reached.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The current in a reverse-biased diode is small (typically 10-8 A for silicon) and approximately independent of voltage until the breakdown region at high reverse voltages is reached.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
当前在反向偏置的二极管是小（通常10-8为硅）及约独立的电压，直到在高反向电压击穿区域为止。
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2013-05-23 12:23:18
在一个反偏的二极管的潮流是小(典型地10-8 A硅的)和大约独立的电压，直到在高反向电压的击穿范围被到达。
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2013-05-23 12:24:58
潮流在一个reverse-biased二极管是小 (典型10-8 A为电压的) 硅和近似地独立，直到击穿范围在高反向电压被到达。
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2013-05-23 12:26:38
一个反向偏置二极管中的电流很小 （通常 10-8 为硅） 和大约独立的电压直到达到在高反向电压击穿区域。
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2013-05-23 12:28:18
在一只反面有偏见的二极管中的流是小的 ( 通常 10-8 硅的 A ) 和大约与电压无关直到高反面电压的故障地区被到达。
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