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2013-05-23 12:21
求翻译：In this paper we review technologies that have been developed, or are in the process of development, for the formation of the active layer of p-Si thin film transistors. The structural characteristics of the polysilicon films are discussed and compared for a number of different preparation methods including: direct p-S是什么意思？ 待解决
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In this paper we review technologies that have been developed, or are in the process of development, for the formation of the active layer of p-Si thin film transistors. The structural characteristics of the polysilicon films are discussed and compared for a number of different preparation methods including: direct p-S
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在本文中，我们回顾已开发或正在开发的过程中，对于P-Si薄膜晶体管有源层的形成技术。多晶硅膜的结构特性进行了讨论和比较了许多不同的制备方法，包括：直接p型Si沉积，从硅烷SPC或乙硅烷的a-Si薄膜，RTA多晶硅和ELA多晶硅膜。在设备，以满足生产的多晶硅为基础的设备吞吐量的要求目前的进展也检讨。
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2013-05-23 12:23:18
在本文我们回顾被开发了的技术，或者是在发展过程中， p-Si薄膜晶体管活跃层数的形成的。多晶硅影片的结构特征为一定数量不同的准备方法被谈论并且被比较包括：直接p-Si证言，从硅酮或disilane Si影片、RTA多晶硅和ELA多晶硅的SPC影片。
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2013-05-23 12:24:58
在本文我们回顾被开发了的技术，或者是在发展过程中，为p-Si薄膜晶体管活跃层数的形成。 polysilicon影片的结构特征为一定数量不同的准备方法被谈论并且被比较包括： 直接p-Si证言， SPC从硅酮或disilane Si影片、RTA polysilicon和ELA polysilicon影片。 当前进展在符合基于polysilicon的设备制造业的生产量要求的设备也被回顾。
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2013-05-23 12:26:38
在本白皮书中，我们检讨技术，开发了，或发展过程中，形成的 p 非晶硅薄膜晶体管的现用图层。多晶硅薄膜的结构特征是讨论和比较不同制备方法包括数目为： 直接从硅烷或乙矽烷非晶硅薄膜、 多晶硅 RTA 和 ELA 多晶硅薄膜的 SPC p Si 沉积。设备，以满足基于多晶硅设备制造吞吐量要求当前进展还审查了。
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2013-05-23 12:28:18
在这篇文章中我们被发展了，或为构成在发展的过程中的审核技术 p-Si 的活动层薄电影晶体管。polysilicon 的结构的特征适于拍照为一些不同筹备方法讨论和比较包括：直接 p-Si 沉积物，从 silane 或 disilane a-Si 的 SPC 适于拍照， RTA polysilicon 和 ELA polysilicon 适于拍照。在为基于 polysilicon 的手法的制造符合吞吐量要求的设备中的当前进展也被查看。
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