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2013-05-23 12:21
求翻译：In this paper, a detailed study is presented for the growth kinetics of rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) of nitrogen-doped polysilicon using silane and ammonia chemistry. It is found that nitrogen doping has reduced the surface roughness and grain size of the RTCVD polysilicon film. Both the deposition r是什么意思？ 待解决
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In this paper, a detailed study is presented for the growth kinetics of rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) of nitrogen-doped polysilicon using silane and ammonia chemistry. It is found that nitrogen doping has reduced the surface roughness and grain size of the RTCVD polysilicon film. Both the deposition r
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在本文中，详细的研究提出了氮掺杂的多晶硅的快速热化学气相沉积（RTCVD）使用硅烷和氨气的化学生长动力学。可以发现，氮掺杂降低了表面粗糙度和RTCVD多晶硅膜的晶粒尺寸。既沉积速率和薄膜生长的孵育时间强烈地依赖于氨氧基硅烷的流量比。我们提出了一种新的更好的结构（氮纳入CMOS栅极通过原位RTCVD）。高性能和高可靠的双栅CMOS可以通过结合快速热氧化（RTO）与RTCVD形成。
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2013-05-23 12:23:18
在本文，一项详细的研究为成长动能学迅速热量化学气相沉积被提出(RTCVD)使用硅酮和氨化学，氮气被掺杂的多晶硅。发现氮气掺杂减少了RTCVD多晶硅影片的地面粗糙度和粒度。沉积率和电影发展的孵出时期强烈依靠氨对硅酮流程比率。
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2013-05-23 12:24:58
在本文，一项详细的研究为氮气被掺杂的polysilicon的迅速热量化学气相沉积被提出RTCVD (成长) 动能学使用硅酮和氨化学。 它被发现氮气掺杂减少了RTCVD polysilicon影片的地面粗糙度和粒度。 沉积率和影片成长的孵出时期强烈依靠氨到硅酮流程比率。 我们提出了更好的氮气并网一个新颖的 (结构入CMOS栅电极由原地RTCVD)。 高性能和高度可靠的双重门CMOS可以由结合迅速热量氧化作用形成 (RTO) 与RTCVD。
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2013-05-23 12:26:38
在此文件中，生长动力学的快速热化学气相沉积 (快速热化学沉积) 使用硅烷和氨化学氮掺杂的多晶硅的提交详细的研究。它是发现氮掺杂减少了快速热化学沉积多晶硅薄膜的表面粗糙度和颗粒大小。沉积速率和薄膜生长的孵化时间强烈取决于对硅烷流动比率氨。我们建议 NICER （CMOS 栅电极由原位快速热化学沉积氮纳入) 一种新结构。高性能、 高可靠双门 CMOS 可以通过结合快速热氧化 (RTO) 和快速热化学沉积形成。
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2013-05-23 12:28:18
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