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2013-05-23 12:21
求翻译：An in-situ doped polysilicon process using phosphine (PH3) and silane (SiH4) is described which meets the requirements for ULSI manufacturing technology. Utilizing experimental design, a process optimizing uniformity and load size was developed for a fully automated 150 mm vertical LPCVD reactor. Optimized conditions p是什么意思？ 待解决
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An in-situ doped polysilicon process using phosphine (PH3) and silane (SiH4) is described which meets the requirements for ULSI manufacturing technology. Utilizing experimental design, a process optimizing uniformity and load size was developed for a fully automated 150 mm vertical LPCVD reactor. Optimized conditions p
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
使用磷化氢（PH3）和硅烷（SiH4）的原位掺杂的多晶硅过程中描述了满足超大规模集成电路制造技术的要求。利用实验设计，过程优化均匀性和负载大小为一个完全自动化的150毫米垂直LPCVD反应器的开发。优化的条件下生产出具有<1.2％和<2.0％，为75晶圆负荷的大小厚度和电阻率变化的电影。另外，薄膜形性为> 95％，缺陷密度是<0.17 cm2缺陷≥0.3微米。
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2013-05-23 12:23:18
使用符合ULSI制造技术的要求的膦(PH3)和硅酮(SiH4)的一个原地被掺杂的多晶硅过程被描述。运用实验设计，过程优选均一和装载大小为一台充分地自动化的150个mm垂直的LPCVD反应器被开发了。优化情况制作有厚度和抵抗力变异<1.2%和<2.0%，分别， 75个薄酥饼装载大小的电影。
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2013-05-23 12:24:58
一个原地被掺杂的polysilicon过程使用膦 () 符合 (ULSI) 制造业技术的要求的PH3和硅酮SiH4被描述。 运用实验性设计，过程优选均一和装载大小为一台充分地自动化的150毫米垂直的LPCVD反应器被开发了。 优化情况制作有厚度和抵抗力变异<1.2%和<2.0%，分别，为75个薄酥饼装载大小的电影。 另外，影片正形性是>95%，并且瑕疵密度是<0.17 cm2瑕疵≥0.3微米。
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2013-05-23 12:26:38
原位掺杂多晶硅过程使用磷化氢 (PH3) 和硅烷 （SiH4） 描述，满足超大规模集成电路制造技术的要求。利用实验设计，是为一个完全自动化的 150 毫米垂直 LPCVD 反应器开发一个优化均匀性和负载大小的过程。条件优化生产薄膜的厚度和电阻率变化的 < 1.2%和 < 2.0%，分别为 75 晶圆片加载另外，影片适形是 > 95%和缺陷密度是 < 0.17 cm2 对于缺陷 ≥0.3 微米。 大小。
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2013-05-23 12:28:18
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