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2013-05-23 12:21
求翻译：semiconductor devices, the most common of which are alkali ions such as Na+, K+, and Cl-. These contaminant ions are free to move about, hence the phrase “mobile ionic contamination”. This mobility is accelerated by temperature and electric field. MIC is usually observed in gate oxide layers of MOS transistors. The mob是什么意思？ 待解决
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semiconductor devices, the most common of which are alkali ions such as Na+, K+, and Cl-. These contaminant ions are free to move about, hence the phrase “mobile ionic contamination”. This mobility is accelerated by temperature and electric field. MIC is usually observed in gate oxide layers of MOS transistors. The mob
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
半导体器件，其中最常见的是碱金属离子如Na +，K +，和Cl-。这些污染物离子可以自由走动，因此那句“移动离子污染”。这个流动性受温度和电场加速。麦克风在MOS晶体管栅极氧化层通常观察到的。移动离子往往通过栅极（通常是金属或多晶硅）和栅氧化物（通常的SiO 2）之间的界面进入栅氧化层。一些离子然后漂于Si-SiO2界面由施加到栅极的电压产生的电场的影响下。鉴于这些离子在SiO2的高流动性，他们可以根据实地援助，即使在室温下漂移。
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2013-05-23 12:23:18
半导体装置，最共同哪些是碱离子例如Na+、K+和分类。这些污染物离子是自由移动，因此词组“流动离子污秽”。温度和电场加速这流动性。MIC在门MOS晶体管氧化物层数通常被观察。流动离子通过门之间的接口经常进入门氧化物(通常金属或多晶硅)和门氧化物(通常SiO2)。
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2013-05-23 12:24:58
半导体装置，最共同，其中是碱离子例如Na+、K+和分类。 这些污染物离子是自由移动，因此词组“流动离子污秽”。 温度和电场加速这流动性。 MIC在门MOS晶体管氧化物层数通常被观察。 流动离子通过门金属或polysilicon之间的接口和 (门氧化物SiO2通常) 通常经常进入 (门氧化物)。 某些离子然后漂移对SiSiO2接口受电压创造的电场的影响适用于门。 假使这些离子的高流动性在SiO2，他们可以漂移在领域协助之下甚而在室温。
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2013-05-23 12:26:38
半导体器件，最常见的是碱离子 Na +、 K + 和 Cl-等。这些污染物离子可以自由走动，因此"移动离子污染"一词。这流动性是由温度和电场加速了。MIC 是通常观察到 MOS 晶体管的栅氧化层。移动离子之间门经常输入栅氧化层通过接口 （通常金属或多晶硅) 和栅氧化 (通常 SiO2)。离子然后漂移到 Si-SiO2 界面电场电压应用到门由创建的影响下，一些。他们在 SiO2 鉴于这些离子的高流动性，在外地援助甚至在室温下可以漂移。
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2013-05-23 12:28:18
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