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2013-05-23 12:21
求翻译：The presence of these ionic contaminants at the gate-oxide and oxide-semiconductor interfaces, and in the oxide itself, can result in a mobile ionic charge that can, among other things, cause long-term changes in the threshold voltage of a transistor in a microchip, thus posing serious quality and reliability risks. Fa是什么意思？ 待解决
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The presence of these ionic contaminants at the gate-oxide and oxide-semiconductor interfaces, and in the oxide itself, can result in a mobile ionic charge that can, among other things, cause long-term changes in the threshold voltage of a transistor in a microchip, thus posing serious quality and reliability risks. Fa
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
这些离子污染物的在栅氧化物和氧化物 - 半导体界面的存在，而在氧化物本身，可能会导致移动离子电荷，可以除其他外，导致在一个晶体管的阈值电压的长期变化一个微芯片，从而构成严重的质量和可靠性的风险。故障可能发生的电气试验后，或在外地甚至影响以后的设备已经运行了相当长一段时间。降低移动离子电荷密度应旨在消除麦克风失灵任何程序的一个关键因素
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
这些离子污染物出现在门氧化物和氧化物半导体接口和在氧化物，可能导致在微集成电路在晶体管门限电压可能，尤其，导致长期变动，因而形成严肃的质量和可靠性风险的流动离子电荷。 失败可能在电子测试以后发生，甚至，在受影响的设备在领域相当经营一会儿之后。 减少流动离子电荷密度应该是被设计的所有节目一种关键成份消灭MIC失败
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2013-05-23 12:26:38
这些离子污染物在栅氧化和氧化物半导体的接口，和它的氧化物的存在可能会导致移动的离子电荷可，除其他外，导致的长期变化中一个晶体管的芯片，从而带来了严重的质量和可靠性风险的阈值电压。电气测试之后，或即使在受影响的设备一直在外地有一段时间后，就可以出现故障。减少移动离子电荷密度应旨在消除 MIC 故障的任何程序的一个关键要素
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2013-05-23 12:28:18
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