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2013-05-23 12:21
求翻译：Stacked ultra thin buried oxide type semi-conductor structure producing method, involves bonding substrates such that insulator layers form buried insulator layer, where thickness of buried insulator layer is less than fifty nm是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Stacked ultra thin buried oxide type semi-conductor structure producing method, involves bonding substrates such that insulator layers form buried insulator layer, where thickness of buried insulator layer is less than fifty nm
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
堆叠的超薄埋入氧化物型半导体结构的制造方法，涉及接合基板，使得绝缘层形成埋入绝缘层，其中绝缘埋层的厚度小于50 nm的
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2013-05-23 12:23:18
被堆积的超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体结构导致方法，介入结合基体这样绝缘体分层堆积形式被埋没的绝缘体层数，被埋没的绝缘体层厚度少于五十毫微米
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2013-05-23 12:24:58
被堆积的超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体结构导致方法，介入接合基体这样绝缘体分层堆积形式被埋没的绝缘体层数，被埋没的绝缘体层厚度少于五十毫微米是
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2013-05-23 12:26:38
堆叠式的超瘦埋氧化型半导体结构生产方法，涉及到粘合衬底，这样绝缘子层窗体埋绝缘子层埋的绝缘子层厚度在哪里少于 50 毫微米
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2013-05-23 12:28:18
堆叠式超薄葬在氧化物类型的半导体结构生产方法,涉及到粘接基材,绝缘层形式埋绝缘层,其中埋厚度的绝缘层是小于0Nm
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