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2013-05-23 12:21
求翻译：Since the low-viscosity layers are deposited on both surfaces of strained material layer, the complete relaxation can be performed without the formation of defects by appropriate choice of temperature and duration of heat treatment process. The formation of wrinkles in the strained material layer caMethod for forming b是什么意思？ 待解决
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Since the low-viscosity layers are deposited on both surfaces of strained material layer, the complete relaxation can be performed without the formation of defects by appropriate choice of temperature and duration of heat treatment process. The formation of wrinkles in the strained material layer caMethod for forming b
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
由于低粘度层沉积应变材料层的两个表面上，可以在不通过热处理工艺温度和持续时间的适当选择形成的缺陷进行了彻底的放松。形成于所述应变材料层camethod皱纹的用于形成粘合或三维集成半导体结构如芯片对芯片的整合型半导体结构，包括从另一个半导体结构分离半导体结构
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2013-05-23 12:23:18
因为低黏度层数被放置紧张的物质层两表面上，完全放松可以执行，不用瑕疵的形成由热治疗过程的温度和期间适当的选择。
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2013-05-23 12:24:58
因为低黏度层数在被劳损的物质层两表面被放置，完全放松可以执行，不用瑕疵的形成由热治疗过程的温度和期间适当的选择。 皱痕的形成在被劳损的物质层数caMethod为形成被结合的或三维联合半导体结构即。 死对死综合化类型半导体结构，介入分离半导体结构从另一个半导体结构
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2013-05-23 12:26:38
因为低粘度的图层包括存放在两个表面被劳损的料层可以由选择适当的温度和持续时间的热处理工艺而形成的缺陷不执行彻底放松。在紧张的材料层 caMethod 成形皱纹的形成保税或三维半导体集成的结构如死翘翘集成类型半导体结构，涉及从另一个半导体结构分开半导体结构
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2013-05-23 12:28:18
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