|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The device facilitate epitaxial fabrication of relatively thick layers of the semiconductor material with relatively lower concentrations of defects of the glass bonding layer by implementing strain balance obtained between an epitaxial layer formed of gallium nitride, of the semiconductor material and the seed structu是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The device facilitate epitaxial fabrication of relatively thick layers of the semiconductor material with relatively lower concentrations of defects of the glass bonding layer by implementing strain balance obtained between an epitaxial layer formed of gallium nitride, of the semiconductor material and the seed structu
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
该装置促进半导体材料的相对厚的层的外延制造具有相对较低的通过实施氮化镓构成的外延层，所述半导体材料和种子结构之间获得的应变平衡的玻璃粘接层的缺陷浓度。载体基板和半导体材料的层可以一起通过对半导体材料层的载体基材上邻接的玻璃粘接层，从而保持所得的结构在所希望的温度和压力下的时间量足以产生足够的粘合强度粘合相邻层之间。
|
|
2013-05-23 12:23:18
设备通过实施张力平衡促进相对地半导体材料的厚实的层的外延制造与相对地玻璃结合的层数的瑕疵的更低的集中的获得在一块外延层之间被形成镓氮化物，半导体材料和种子结构。
|
|
2013-05-23 12:24:58
设备通过实施张力平衡促进相对地半导体材料的厚实的层的外延制造以相对地玻璃接合层数的瑕疵的更低的集中获得在一块外延层之间被形成镓氮化物，半导体材料和种子结构。 载体基体和半导体材料的层数在载体基体可以通过紧靠玻璃接合层数一起结合反对半导体材料层数，因而维护发生的结构以期望温度和压力充足的时间导致充足的接合强度在毗邻层数之间。
|
|
2013-05-23 12:26:38
该设备促进外延制造相对较厚层的半导体材料与相对较低浓度的玻璃粘接层通过实施应变平衡获得之间形成的氮化镓半导体材料和种子结构的外延层的缺陷。载体基板和半导体材料的层可以黏合起来的毗连玻璃粘接层对半导体材料的层的载体基板上因而维持足够长的时间，以产生足够的粘接强度相邻层之间产生的结构所需的温度和压力。
|
|
2013-05-23 12:28:18
提供便利的设备制造的外延层相对较厚的半导体材料,具有相对较低的缺陷浓度的玻璃粘结层的执行压力之间取得平衡的外延层砷化镓氮化物组成的,半导体材料和种子结构。 运营商的基材,并在图层的半导体材料可以粘接在一起,相邻一个玻璃粘接层的运营商对基材层的半导体材料,从而造成结构保持在所需的温度和压力有足够的时间来产生足够之间粘结强度相邻图层。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
