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2013-05-23 12:21
求翻译：The device reduces discrepancy between mobility of electrons and electron holes in the III-V semiconductor materials thus providing uniform distribution of electrons and electron-holes within the active regions of the device, and is fabricated with thick layers of crystalline III-V semiconductor material having relativ是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The device reduces discrepancy between mobility of electrons and electron holes in the III-V semiconductor materials thus providing uniform distribution of electrons and electron-holes within the active regions of the device, and is fabricated with thick layers of crystalline III-V semiconductor material having relativ
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该装置的电子和电子空穴在III-V族半导体材料从而提供电子和器件的有源区中电子 - 空穴的均匀分布的迁移率之间的差异减小，并且被制成具有结晶性的III-V半导体材料的厚层相对低浓度的缺陷。
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2013-05-23 12:23:18
设备减少电子的流动性和电子空穴之间的差误在因而提供电子和电子孔的一致的发行的III-V半导体材料在设备内的活跃地区和制造与有水晶III-V半导体的材料厚实的层数相对地瑕疵的低集中。
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2013-05-23 12:24:58
设备在设备之内的活跃地区减少电子的流动性和电子空穴之间的差误在因而提供电子和电子孔的一致的发行的III-V半导体材料和制造以水晶III-V半导体材料厚实的层数有相对地瑕疵的低集中。
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2013-05-23 12:26:38
该设备可以降低电子的流动性和因而提供的电子和电子-空穴的该设备，活动区域内均匀分布的 III-V 半导体材料电子洞之间的差异，捏造与厚层的晶体 III-V 半导体材料，具有缺陷的浓度相对较低。
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2013-05-23 12:28:18
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