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2013-05-23 12:21
求翻译：The method permits stabilizing the bonding interface of the semiconductor structure defined between the thin layer of the donor substrate and the support substrate without the need for annealing to a temperature of about 1000 degree Celsius, in a perfect manner.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The method permits stabilizing the bonding interface of the semiconductor structure defined between the thin layer of the donor substrate and the support substrate without the need for annealing to a temperature of about 1000 degree Celsius, in a perfect manner.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法允许稳定的薄层施主衬底和支撑衬底之间限定无需退火至约1000摄氏度的温度下，在一个完美的方式的半导体结构的键合界面。
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2013-05-23 12:23:18
方法允许稳定半导体结构的接合接口被定义在施主基体和支持基体的薄层之间，不用对锻炼的需要对温度大约1000摄氏度，以完善的方式。
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2013-05-23 12:24:58
方法允许稳定半导体结构的接合接口被定义在施主基体和支持基体的薄层之间，不用对锻炼的需要到温度大约1000摄氏度，以完善的方式。
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2013-05-23 12:26:38
该方法允许稳定层薄薄的捐助基板和无需退火到温度约摄氏 1000 度，以完美的方式支持基板之间定义的半导体结构的粘接接口。
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2013-05-23 12:28:18
许可证的方法稳定绑定接口的半导体结构的定义两者之间的薄薄的一层基材的捐助者的支持,而不需要纸张的退火的温度约1000摄氏度,在一个完美方式。
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