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2013-05-23 12:21
求翻译：Method of fabricating semiconductor structure or device such as LED, laser, optical sensor, power electronic device and solar cell (all claimed). Uses include but are not limited to integrated circuits (ICs), resonant cavity LEDs (RCLEDs), vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs), bipolar junction transistors (是什么意思？ 待解决
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Method of fabricating semiconductor structure or device such as LED, laser, optical sensor, power electronic device and solar cell (all claimed). Uses include but are not limited to integrated circuits (ICs), resonant cavity LEDs (RCLEDs), vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs), bipolar junction transistors (
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
制造半导体结构或器件，如LED，激光，光学传感器，功率电子器件和太阳能电池（全部权利）的方法。用途包括但不限于集成电路（IC），谐振腔发光二极管（RCLED元件），垂直腔表面发射激光器（VCSEL），双极结晶体管（BJT），功率场效应管，可控硅整流器，肖特基二极管，结型场效应晶体管（的JFET ），绝缘栅双极晶体管（IGBT）和正 - 本征 - 负（PIN）二极管。
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2013-05-23 12:23:18
制造半导体结构或设备方法例如LED，激光，光学传感器，供给电子设备和太阳能电池动力(所有被要求)。用途包括，但是没有被限制到集成电路(集成电路)，谐振腔LEDs (RCLEDs)，垂直的洞表面散发的激光(VCSELs)，双极结晶体管(BJTs)，力量MOSFETs、可控硅整流器、肖特基二极管、结型场效应晶体管(JFETs)，绝缘栅的双极晶体管(IGBTs)和正面内在消极(PIN)二极管。
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2013-05-23 12:24:58
制造半导体结构或设备方法例如LED， laser，光学传感器，供给所有被要求的电子设备和 (太阳能电池动力)。 用途包括，但没有被限制到集成电路 (ICs)，谐振腔LEDs (RCLEDs)，垂直的洞表面散发的lasers (VCSELs)，双极结晶体管 (BJTs)，力量MOSFETs、可控硅整流器、肖特基二极管、连接点场效应晶体管 (JFETs)，绝缘栅的双极晶体管 (IGBTs) 和正面内在消极 (PIN) 二极管。
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2013-05-23 12:26:38
方法制备半导体结构或设备如 LED、 激光、 光传感器、 电力电子设备和太阳能电池 （所有声称）。用途包括但不是限于集成电路 (Ic)、 谐振腔发光二极管 (RCLEDs)、 垂直腔表面发射激光器 (垂直腔面发射激光器)、 双极晶体管 (BJTs)、 功率 Mosfet、 晶闸管、 肖特基二极管、 交界处场效应晶体管 （火力），绝缘栅双极晶体管 (Igbt) 和积极的内在阴性 (PIN) 二极管。
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2013-05-23 12:28:18
其制造方法的半导体结构或设备(如LED、激光、光电传感器、功率电子设备和太阳能电池[所有索赔]。 使用包括但不限于集成电路(IC)、谐振腔发光二极管[rcleds]、垂直腔表面发射激光器(VCSELs],双极性晶体管[bjts交界处,功率MOSFET、晶闸管、肖特基二极管、场效应晶体管交界处[jfets],绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和积极的内在的负[Pin]二极管。
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