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2013-05-23 12:21
求翻译：The treatment of the substrate surface is controlled such that the increase of the energy in the peripheral region of the substrates is lesser than the increase of the energy in the middle region of the substrates, thus avoiding the generation of a jagged edge on the semiconductor structure after the detachment of the 是什么意思？ 待解决
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The treatment of the substrate surface is controlled such that the increase of the energy in the peripheral region of the substrates is lesser than the increase of the energy in the middle region of the substrates, thus avoiding the generation of a jagged edge on the semiconductor structure after the detachment of the
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在衬底表面的处理进行控制，使得能量在基板的外围区域的增加比能量在基片的中间区域中的增加较小，从而避免了在半导体结构的锯齿边缘的产生后的供体基片的脱落。
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2013-05-23 12:23:18
基体表面的治疗被控制能量的增量在基体的周边地区比能量的增量是较少在基体的中部地区，因而避免一个接合的边缘的一代在半导体结构的这样在施主基体的独立小分队以后。
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2013-05-23 12:24:58
基体表面的治疗在半导体结构被控制能量的增量在基体的周边区域比能量的增量是较少在基体的中部地区，因而避免一个接合的边缘的世代这样在施主基体的独立小分队以后。
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2013-05-23 12:26:38
控制基板表面的治疗增加了基体的外围地区能源是较少比在中部地区的衬底上，从而避免捐助基板的脱离后生成的锯齿状边缘的半导体结构的能量增加。
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2013-05-23 12:28:18
治疗的基材表面上的控制,这种增加的能源在周边地区的承印物上的较小的比增加的能源在中东地区的承印物,从而避免了一代的锯齿状边缘的半导体结构上的分遣队后的基材的捐助者。
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