|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Semiconductor device, has array of patterns arranged in form of row, where FET of one of patterns has back gate region that is biased to shift threshold voltage of FET for simulating modification in channel width of FET是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Semiconductor device, has array of patterns arranged in form of row, where FET of one of patterns has back gate region that is biased to shift threshold voltage of FET for simulating modification in channel width of FET
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
半导体器件，具有图案阵列排列成行，其中的模式之一的FET具有背面的偏向转向FET的阈值电压的场效应晶体管的沟道宽度模拟修饰栅极区的形式
|
|
2013-05-23 12:23:18
半导体装置，有被安排的一些样式以行的形式， FET其中一个样式有后面栅极区被偏心转移FET门限电压模仿的修改在FET的渠道宽度
|
|
2013-05-23 12:24:58
半导体装置，有被安排的一些样式以列的形式， FET其中一个样式有后面栅极区在渠道宽度被偏心转移FET门限电压为模仿修改FET
|
|
2013-05-23 12:26:38
半导体器件，具有数组的行、 场效应管的模式之一，有模拟通道宽度的场效应管改造转移的场效应管阈值电压偏颇的后门区域的窗体中的排列方式
|
|
2013-05-23 12:28:18
半导体器件,一阵列排列的图案在表单的行,在FET的一个备份的模式有门地区,是十分偏颇的阈值电压转变为模拟修改FET在通道宽度的FET
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
