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2013-05-23 12:21
求翻译：Growing following Group III-nitride material layer over initial Group III-nitride material layer involves epitaxially laterally overgrowing localized regions of amorphous complex material at initial layer, with following semiconductor layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Growing following Group III-nitride material layer over initial Group III-nitride material layer involves epitaxially laterally overgrowing localized regions of amorphous complex material at initial layer, with following semiconductor layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
以下生长超过初始III族氮化物材料层III族氮化物材料层包括外延横向过度生长的无定形复合材料的局部区域在初始层，用以下的半导体层
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2013-05-23 12:23:18
在最初的小组III氮化物物质层数的增长的跟随的小组III氮化物物质层数介入外延地侧向地长满无定形的复杂材料的地方化的地区在最初的层数，与以下半导体层数
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2013-05-23 12:24:58
增长的跟随的小组III氮化物物质层数最初小组III氮化物物质层数介入外延地侧向地overgrowing无定形的复杂材料的地方化的地区在最初的层数，以以下半导体层数
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2013-05-23 12:26:38
初始组 III-氮化物材料层日益以下组 III-氮化物材料层涉及在初始层，与以下半导体层非晶态复杂材料的外延侧向 overgrowing 局部的地区
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2013-05-23 12:28:18
以下第三组越来越多的氮化硅材料层在第一组三的氮化物异质材料层涉及横向overgrowing本地化地区复杂的非晶材料在初始层,以下半导体层
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