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2013-05-23 12:21
求翻译：Forming indium gallium nitride, comprises causing ratio of partial pressure of nitrogen precursor to group III precursor, decomposing portion of group III precursor and epitaxially growing indium gallium nitride over substrate是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Forming indium gallium nitride, comprises causing ratio of partial pressure of nitrogen precursor to group III precursor, decomposing portion of group III precursor and epitaxially growing indium gallium nitride over substrate
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
形成氮化铟镓，包括造成的氮前体的分压比对III族前体，分解III族前体的一部分和外延生长铟镓氮化物在衬底
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2013-05-23 12:23:18
形成铟镓氮化物，包括导致编组III前体，分解小组III前体的部分和外延地生长铟在基体的氮气前体分压比率镓氮化物
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2013-05-23 12:24:58
形成铟镓氮化物，包括导致对小组III前体，分解小组III前体的部分和外延地生长铟镓氮化物在基体的氮气前体分压比率
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2013-05-23 12:26:38
形成氮化铟镓、 包括造成比例的氮前体进行分组 III 前体、 分解部分的组三、 前体和外延日益铟氮化镓衬底偏压
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2013-05-23 12:28:18
形成铟砷化镓氮化物,包括导致比例的部分压力氮气的前体,第三组前体都腐烂了,部分第三组的前体物,越来越多对铟砷化镓氮化物基材
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