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2013-05-23 12:21
求翻译：The method polishes the heterostructure having improved removal speed of germanium, thus eliminating surface defects obtained from epitaxial growth of the germanium layer, while reducing microroughness or macroroughness level at the surface of the germanium layer, and hence assuring better molecular adhesive bonding of是什么意思？ 待解决
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The method polishes the heterostructure having improved removal speed of germanium, thus eliminating surface defects obtained from epitaxial growth of the germanium layer, while reducing microroughness or macroroughness level at the surface of the germanium layer, and hence assuring better molecular adhesive bonding of
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法抛光具有异质锗的改进的去除速度，从而消除了由锗层的外延生长得到的表面缺陷，同时减少或微粗糙度macroroughness水平在锗层的表面上，并因此保证了锗层的更好分子粘接以及获取锗绝缘体上板的锗绝缘体上结构的制造过程中更好的质量。
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2013-05-23 12:23:18
方法擦亮被改进锗的撤除速度异质结构，因而消灭获得的表面损坏从锗层数、，当减少时microroughness或者macroroughness水平的外延生长在锗层数的表面，并且保证更好的分子胶接锗层数和获得锗在绝缘体板材的更好质量在生产锗在绝缘体结构时。
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2013-05-23 12:24:58
方法擦亮被改进锗的撤除速度异质结构，因而消灭获得的表面损坏从锗层数的外延生长，当减少microroughness或macroroughness水平在锗层数的表面，并且保证更好的分子黏着性接合锗层数和获得锗在绝缘体板材的更好质量在生产锗在绝缘体结构期间时。
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2013-05-23 12:26:38
该方法抛光异质结有改进去除速度锗，从而消除表面缺陷从锗层，同时减少所需表面粗糙度或 macroroughness 级的锗层，表面上，从而保证更好地分子胶粘接的锗层和在锗对绝缘子结构的制造过程中获得更优质的绝缘体上锗板材的外延生长中获得。
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2013-05-23 12:28:18
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