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2013-05-23 12:21
求翻译：Fabrication of oriented silicon substrate for semiconductor device, involves epitaxially depositing oriented silicon layer on basic silicon substrate at preset pressure and temperature using trichlorosilane or dichlorosilane是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Fabrication of oriented silicon substrate for semiconductor device, involves epitaxially depositing oriented silicon layer on basic silicon substrate at preset pressure and temperature using trichlorosilane or dichlorosilane
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
用于半导体器件取向的硅衬底的制造中，包括在预定的压力和温度下外延地沉积在基硅衬底取向硅层中使用三氯硅烷或二氯硅烷
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2013-05-23 12:23:18
使用三氯硅烷或dichlorosilane，生产半导体装置的针对的硅体，介入外延地放置在基本的硅体的针对的硅层数在被预先设定的压力和温度
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2013-05-23 12:24:58
生产针对的硅体为半导体装置，在基本的硅体介入外延地放置针对的硅层数在被预先设定的压力和温度使用trichlorosilane或dichlorosilane
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2013-05-23 12:26:38
面向的硅衬底半导体器件的制造涉及在预设的压力和温度使用三氯硅烷或二氯硅烷的基本硅衬底上外延沉积面向的硅层
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2013-05-23 12:28:18
面向制造的硅基片的半导体设备,包括面向交存物层硅硅基材的基本预设压力和温度或使用trichlorosilane dichlorosilane
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