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2013-05-23 12:21
求翻译：Fabrication of semiconductor structure, preferably III-nitride structure, by depositing dielectric masking material layer to cover disturbed portions of surface about emergent surface dislocations in discontinuous manner是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Fabrication of semiconductor structure, preferably III-nitride structure, by depositing dielectric masking material layer to cover disturbed portions of surface about emergent surface dislocations in discontinuous manner
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
半导体结构，优选III族氮化物结构，通过沉积介电掩模材料层，以覆盖的表面大约在不连续的方式出现的表面位错受干扰部分的制造
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2013-05-23 12:23:18
生产半导体结构，更适宜地III氮化物结构，由盖的放置的电介质掩没的材料层数干扰了表面的部分关于紧急表面脱臼的以不连续的方式
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2013-05-23 12:24:58
生产半导体结构，更好地III氮化物结构，由报道表面的被干扰的部分的放置的电介质掩没的材料层数关于紧急表面脱臼以不连续的方式
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2013-05-23 12:26:38
半导体的制备结构，最好是三氮化结构，由沉积介质屏蔽材料层，覆盖的表面有关突发表面混乱不安的部分不连续的方式
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2013-05-23 12:28:18
制造的半导体结构,最好是三氮化物结构、交存介电屏蔽材料层,涵盖感到不安的部分表面的表面出现极度混乱的情况紧急不连续方式
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