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2013-05-23 12:21
求翻译：The donor wafer is maintained at average temperature between 20 and 150 degree Celsius with maximal variation of temperature less than 30 degree Celsius, during implantation, thus improving uniformity of thickness of the transferred layer, and reducing and equalizing the surface roughness of the layer.是什么意思？ 待解决
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The donor wafer is maintained at average temperature between 20 and 150 degree Celsius with maximal variation of temperature less than 30 degree Celsius, during implantation, thus improving uniformity of thickness of the transferred layer, and reducing and equalizing the surface roughness of the layer.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
施体晶片的温度保持在20和150摄氏度与温度低于30摄氏度的最大变化，在植入过程中的平均温度，从而提高了被转移层的厚度的均匀性，并减少和均衡的层的表面粗糙度。
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2013-05-23 12:23:18
施主薄酥饼被维护在20和150摄氏度之间的平均温度与温度的最大的变异少于30摄氏度，在安放，因而改进转移的层数的厚度均一和减少和调平层数的地面粗糙度期间。
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2013-05-23 12:24:58
施主薄酥饼被维护在平均温度在20和150摄氏度之间以温度的最大的变异少于30摄氏度，在安放，因而改进转移的层数的厚度均一和减少和调平层数的地面粗糙度期间。
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2013-05-23 12:26:38
捐助者硅片保持在平均温度与植入术，从而提高传输层的厚度均匀性和减少并均衡表面粗糙度的图层中的最大变化温度小于 30 摄氏度，20 和 150 摄氏度之间。
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2013-05-23 12:28:18
捐助国晶圆是维持在平均温度为20和150摄氏度的变化最大,温度低于30摄氏度,在植入,从而提高一致性的厚度的传输层,并减少和平衡的表面粗糙度的图层。
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