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2013-05-23 12:21
求翻译：The method provides semiconductor layer of relatively high quality with reduced surface dislocations or other defects. The formation of dislocation pit plugs prevents propagation of dislocations from an underlying layer of material into a following semiconductor layer of material. The Group III-nitride layer, which has是什么意思？ 待解决
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The method provides semiconductor layer of relatively high quality with reduced surface dislocations or other defects. The formation of dislocation pit plugs prevents propagation of dislocations from an underlying layer of material into a following semiconductor layer of material. The Group III-nitride layer, which has
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法提供的相对高的质量以降低表面的位错或其它缺陷的半导体层。错位坑塞的形成防止脱位从繁殖材料的底层为材料的下半导体层。的III族氮化物层，其具有表面的位错显著网络，促进形成表面凹坑和凹坑表面相交并结块的可能性增加。
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2013-05-23 12:23:18
方法提供半导体层数相对地优质以减少的表面脱臼或其他瑕疵。脱臼坑插座的形成防止脱臼的传播材料基本的层数入材料以下半导体层数。小组III氮化物层数，有表面脱臼重大网络，促进表面坑的形成和表面坑交叉点和附聚的增长的可能性。
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2013-05-23 12:24:58
方法提供相对地高质量半导体层数以减少的表面脱臼或其他瑕疵。 脱臼坑插座的形成防止脱臼的传播材料部下的层数入材料以下半导体层数。 小组III氮化物层数，有表面脱臼重大网络，促进表面坑的形成和表面坑交叉点和附聚的增长的可能性。
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2013-05-23 12:26:38
该方法提供半导体层的减少表面混乱或其他缺陷质量相对较高。形成的脱位坑插头可防止繁殖的混乱从物质基础层成半导体下面图层的材料。组三-氮化层，它有表面混乱的重要网络，促进形成的表面坑和日益增加的概率表面坑路口和集聚。
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2013-05-23 12:28:18
这种方法提供了半导体层的相对较高的质量,减少了表面混乱或其它缺陷。 组建的混乱坑塞防止传播的混乱从一个底层图层的材料装入一个以下半导体层的材料。 在第三组的氮化物层,它有非常大的网络的表面混乱,促进形成的表面坑和概率增加的表面坑十字路口和人口密集区。
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