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2013-05-23 12:21
求翻译：Forming indium gallium nitride, comprises providing layer of gallium nitride within chamber, epitaxially growing layer of indium gallium nitride, and growing layer of indium gallium nitride to average final specific thickness是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Forming indium gallium nitride, comprises providing layer of gallium nitride within chamber, epitaxially growing layer of indium gallium nitride, and growing layer of indium gallium nitride to average final specific thickness
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
形成氮化铟镓，包括内室提供氮化镓层，外延生长的氮化铟镓层和生长的氮化铟镓层到最终的平均特定厚度
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2013-05-23 12:23:18
形成铟镓氮化物，包括提供在房间内的，外延地生长铟镓氮化物层数和铟镓氮化物的生长层数镓氮化物层数平均为最后的具体厚度
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2013-05-23 12:24:58
形成铟镓氮化物，在房间之内包括提供镓氮化物层数，外延地生长铟镓氮化物层数和生长铟镓氮化物层数平均为最后的具体厚度
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2013-05-23 12:26:38
形成氮化铟镓、 包括提供会议厅内氮化镓层、 外延增长的铟镓氮化物层和生长的氮化铟镓平均最后具体厚度层
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2013-05-23 12:28:18
形成铟砷化镓氮化物,包括提供图层内的砷化镓氮化物,越来越多层异质的铟砷化镓氮化物,不断增加的图层铟砷化镓氮化物,最后具体平均厚度
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