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2013-05-23 12:21
求翻译：The defects remaining at the interface between working layer and buried oxide layer is reduced so that the dit value is reduced and high charging mobility is obtained.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The defects remaining at the interface between working layer and buried oxide layer is reduced so that the dit value is reduced and high charging mobility is obtained.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
剩余在工作层和埋入的氧化层之间的界面的缺陷减少，所以在DIT值减小并且获得高的充电的移动性。
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2013-05-23 12:23:18
减少依然是在运作的层数和被埋没的氧化物层数之间的接口的瑕疵，以便减少dit价值，并且高充电的流动性得到。
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2013-05-23 12:24:58
余留在运作的层数和被埋没的氧化物层数之间的接口减少瑕疵，以便减少dit价值，并且高充电的流动性获得。
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2013-05-23 12:26:38
剩余的工作层和埋的氧化层之间的接口的缺陷被减少因此 dit 价值减少和流动性高收费获得。
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2013-05-23 12:28:18
剩余的缺陷之间的接口在工作层和埋在氧化物层减慢,DIT值减少,高收费移动。
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