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2013-05-23 12:21
求翻译：The method permits the formation of the oxide layer to efficiently protect the heterostructure from chemical attacks i.e. tetramethylammonium hydroxide solution attacks, during thinning of trimming operation over entire or part of the heterostructure, while avoiding the formation of scratches on edges of the heterostru是什么意思？ 待解决
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The method permits the formation of the oxide layer to efficiently protect the heterostructure from chemical attacks i.e. tetramethylammonium hydroxide solution attacks, during thinning of trimming operation over entire or part of the heterostructure, while avoiding the formation of scratches on edges of the heterostru
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
方法退火复合异质结构如多层半导体晶片或结构，如结合的绝缘体上硅结构，在所述异质结构（权利）的制造过程中氧化性气氛中。
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2013-05-23 12:23:18
锻炼的一个综合异质结构多层半导体片或结构即方法例如保税的绝缘体上硅薄膜结构，在氧化的大气下在异质结构的制造时(被要求)。
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2013-05-23 12:24:58
方法为锻炼一种综合异质结构即。 多层半导体片或结构例如保税的硅在绝缘体结构，在氧化的大气之下在异质结构的制造期间 (要求)。
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2013-05-23 12:26:38
上绝缘子结构，在异质结 (索赔) 的制造过程中氧化气氛下硅粘结方法如退火复合异质结构如多层半导体硅片或结构。
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2013-05-23 12:28:18
退火的方法例如级异质结构构成的复合多层半导体晶片或结构,如保税硅芯片的绝缘结构中,则在氧化性气氛的制造过程中的级异质结构构成[要求]。
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