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2013-05-23 12:21
求翻译：Method for detaching substrates (claimed) e.g. positive and negative substrates, at a level of a weakened zone that is situated at a determined depth of the substrates, for forming a composite structure i.e. silicon on insulator structure, in microelectronic, optical or electronic field.是什么意思？ 待解决
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Method for detaching substrates (claimed) e.g. positive and negative substrates, at a level of a weakened zone that is situated at a determined depth of the substrates, for forming a composite structure i.e. silicon on insulator structure, in microelectronic, optical or electronic field.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
方法分离基板（自称），例如正和负的基板，在该位于该基材的一个确定的深度，以形成绝缘体上的结构的复合结构，即硅，在微电子，光学或电子领域薄弱区的电平。
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2013-05-23 12:23:18
分开的基体(被要求)即正面和消极基体方法，在即位于在基体的坚定的深度，形成的一个综合结构绝缘体上硅薄膜结构，在微电子学，光学或者电子领域一个被减弱的区域的水平。
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2013-05-23 12:24:58
方法为分开被要求的 (基体) 即。 正面和消极基体，在位于在基体的坚定的深度一个被减弱的区域的水平，为形成一个综合结构即。 硅在绝缘体结构，在微电子学，光学或者电子领域。
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2013-05-23 12:26:38
为分离基板 （索赔） 例如积极和消极基板、 级别的被减弱的区域，坐落在衬底上，形成一个复合结构即硅绝缘子结构、 微电子、 光学或电子领域确定深度的方法。
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2013-05-23 12:28:18
摘下承印物上的方法[要求]例如积极和消极承印物,在一定程度的一个削弱了区,坐落在一个确定的承印物上的深度,形成一个复合结构(即芯片的绝缘结构、微电子、光学或电子字段。
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