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2013-05-23 12:21
求翻译：Method for manufacturing high-resistivity (HR) substrate, for fabricating e.g. complementary metal oxide semiconductor device, involves forming insulating layer between HR semiconductor layer and back surface of donor substrate是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Method for manufacturing high-resistivity (HR) substrate, for fabricating e.g. complementary metal oxide semiconductor device, involves forming insulating layer between HR semiconductor layer and back surface of donor substrate
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的制造方法，高电阻率（HR）衬底，用于制造如互补金属氧化物半导体器件，包括小时，半导体层和施主衬底的背面之间形成的绝缘层
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2013-05-23 12:23:18
制造的高抵抗力(HR)即基体方法，制造的互补金属氧化物半导体设备的，介入形成在HR半导体层数和施主基体之间后面表面的绝缘层
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2013-05-23 12:24:58
方法为制造高抵抗力 (小时) 基体，为制造即。 补全金属氧化物半导体设备，介入形成绝缘层在小时半导体层数和施主基体之间后面表面
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2013-05-23 12:26:38
制造高电阻率 (HR) 基板，例如制作的互补金属氧化物半导体器件，方法涉及到成型 HR 半导体层和背表面的捐助衬底之间的隔热层
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2013-05-23 12:28:18
方法对制造高电阻率[HR]基材、编造如互补金属氧化物半导体器件,包括形成绝缘层HR半导体层之间,背面的捐助国基材
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