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2013-05-23 12:21
求翻译：Method for manufacturing HR substrate used for fabricating electronic device (both claimed) such as complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, gallium nitride high electron mobility transistor (HEMT) device. Can also be used in microelectronic device, optoelectronic device, photovoltaic device, microelectro是什么意思？ 待解决
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Method for manufacturing HR substrate used for fabricating electronic device (both claimed) such as complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, gallium nitride high electron mobility transistor (HEMT) device. Can also be used in microelectronic device, optoelectronic device, photovoltaic device, microelectro
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
方法用于制造电子器件（包括权利），例如互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件制造小时衬底。也可以用在微电子器件，光电器件，光伏器件，microelectro机械设备和无线电频率（RF）在电信应用或无线电检测应用程序中使用的设备中使用。
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2013-05-23 12:23:18
制造的为制造电子设备使用的HR基体方法(被要求的两个)例如互补金属氧化物半导体(CMOS)设备，镓氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)设备。能也用于微电子学设备、光电子设备、光致电压的设备、microelectro机械设备和用于电信应用或收音机侦查应用的射频(RF)设备。
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2013-05-23 12:24:58
方法为制造为制造电子设备使用的小时基体 (两个被要求) 例如补全金属氧化物半导体 (CMOS) 设备，镓氮化物高电子迁移率晶体管 (HEMT) 设备。 罐头也用于微电子学设备、光电子设备、光致电压的设备、microelectro机械部件和用于电信 (应用) 或收音机侦查应用的射频RF设备。
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2013-05-23 12:26:38
HR 基板制造方法用于制造电子设备 （均声称） 等互补金属氧化物半导体 (CMOS) 设备，镓氮化物高电子流动晶体管 (器件) 设备。也可以使用在微电子器件、 光电器件、 光伏设备、 微电子机械设备和电信应用程序或无线电检测应用程序中使用的无线电频率 (RF) 设备。
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2013-05-23 12:28:18
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