|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The edge roll off (ERO) value of each of the silicon wafers is determined using the derivative of the profile of one of the silicon wafers and using silicon wafers with an ERO of more than 100 nanometer (nm), thus reducing the amount of crystalline defects arising on or near the border of the wafer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The edge roll off (ERO) value of each of the silicon wafers is determined using the derivative of the profile of one of the silicon wafers and using silicon wafers with an ERO of more than 100 nanometer (nm), thus reducing the amount of crystalline defects arising on or near the border of the wafer
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
边滚降（ERO）每个硅片的值是使用硅晶片之一的轮廓的衍生和使用硅片超过100纳米（nm）的主任决定，从而减少晶体的量产生或靠近晶片的边缘缺损
|
|
2013-05-23 12:23:18
边缘印出(ERO)其中每一个的价值硅片使用外形的衍生物是坚定的一个硅片和使用与ERO的硅片超过100毫微米(nm)，因而减少出现在或在薄酥饼的边界的附近相当数量水晶瑕疵
|
|
2013-05-23 12:24:58
边缘印出 (每一个) 硅片的ERO价值使用外形的衍生物是坚定的一个硅片和使用硅片与超过100毫微米nm ERO ()，因而减少相当数量水晶瑕疵出现或临近薄酥饼的边界
|
|
2013-05-23 12:26:38
关闭 （ERO） 值的每个硅晶片边缘辊决定使用的配置文件之一的硅晶片的衍生物利用和使用硅晶片 ERO 超过 100 纳米 (nm)，从而减少晶体的缺陷，产生上或在外延片的边界附近的量
|
|
2013-05-23 12:28:18
边材压扁辊关闭[英雄]值的每个芯片晶圆是确定的衍生使用的配置文件的一个硅晶片和使用硅晶片,一个英雄的超过100纳米[纳米],从而减少了所产生的结晶缺陷上或附近的晶圆的边界
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
