|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Chemical vapor deposition process for forming a strain relaxed silicon germanium buffer layer over a semiconductor substrate, comprises flowing a silicon- and a germanium precursor into the reaction chamber to deposit silicon germanium是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Chemical vapor deposition process for forming a strain relaxed silicon germanium buffer layer over a semiconductor substrate, comprises flowing a silicon- and a germanium precursor into the reaction chamber to deposit silicon germanium
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
用于形成应变弛豫硅锗缓冲层在半导体衬底上的化学气相沉积工艺，包括使硅和锗前体引入反应室以沉积硅锗
|
|
2013-05-23 12:23:18
形成的张力放松的硅锗缓冲层数化学气相沉积过程在半导体基体，包括流动硅和锗前体入反应房间放置硅锗
|
|
2013-05-23 12:24:58
化学气相沉积过程为形成张力放松的硅锗缓冲层数在半导体基体，包括流动硅和锗前体入反应房间放置硅锗
|
|
2013-05-23 12:26:38
在半导体基片表面成形应变轻松的硅锗缓冲层化学气相沉积过程包括流入反应室，存入硅锗硅和锗的前奏
|
|
2013-05-23 12:28:18
化学气相沉积法的形成过程的应力消除放宽硅锗缓冲层的半导体基片上,构成一个流动硅和锗的前体的反应室中,硅锗存
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
