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2013-05-23 12:21
求翻译：The process reduces the defects particularly vertical threading dislocations by gliding them from the buffer layer and tendency of threading dislocation densities to form pile-ups at the edge of the wafer, improves the device performance by increasingly using strained semiconductor layers, reduces the defects in the bu是什么意思？ 待解决
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The process reduces the defects particularly vertical threading dislocations by gliding them from the buffer layer and tendency of threading dislocation densities to form pile-ups at the edge of the wafer, improves the device performance by increasingly using strained semiconductor layers, reduces the defects in the bu
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
过程由从缓冲层和穿透位错密度，以形成桩起坐在晶片的边缘的倾向滑翔他们减少了缺陷，特别是垂直的穿透位错，提高了越来越多地使用应变半导体层的设备性能，减少了缺陷通过中断在沉积过程中的一个或多个间隔的硅前体的流动的缓冲层，并提供应变半导体材料，具有改进的电载流子迁移性能并增加在该半导体电路能操作的速度。
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2013-05-23 12:23:18
这, 那; 这些, 那些
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2013-05-23 12:24:58
过程通过滑动他们在缓冲层数减少特殊瑕疵垂直的穿线的脱臼从穿线位错密度缓冲层数和倾向对形式堆积在薄酥饼的边缘，由越来越改进设备表现使用被劳损的半导体层数，通过中断硅前体的流程减少瑕疵在一个或更多间隔时间在证言期间，并且提供被劳损的半导体材料以改善的电子载流子迁移率物产和增加半导体电路可能经营的速度。
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2013-05-23 12:26:38
过程降低的缺陷特别是垂直线程脱位的滑翔他们从缓冲层和线程处理到窗体 pile-ups 在硅片的边缘的位错密度的倾向，通过越来越多地使用紧张的半导体层提高设备性能，通过一个或多个时间间隔期间沉积中断硅前体的流动减少了缓冲层中的缺陷和提供紧张的半导体材料与改进电气承运人的流动性属性和增加哪些半导体电路可以操作的速度。
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2013-05-23 12:28:18
这一过程可减少缺陷尤其是垂直失调的顺滑线程从缓冲层和趋势线程混乱密度,以表单桩的UPS在边缘的晶片,提高了设备的性能,它越来越多地使用张力半导体层,减少了缺陷的缓冲层中的中断流的芯片的前体在一个或多个间隔时间沉积,并提供了与半导体材料紧张从而提高了电气运营商移动属性和增加的速度,半导体电路可以工作。
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