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2013-05-23 12:21
求翻译：Planarizing a disturbed e.g., crosshatch pattern or after-detachment residue, surface of heteroepitaxial layer involves chemical-mechanical polishing the surface with polishing pad and with slurry comprising silica particles是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Planarizing a disturbed e.g., crosshatch pattern or after-detachment residue, surface of heteroepitaxial layer involves chemical-mechanical polishing the surface with polishing pad and with slurry comprising silica particles
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
平坦化紊乱如网状图案或后剥离残余物中，异质外延层的表面上涉及化学 - 机械抛光的表面与抛光垫及与浆料含有二氧化硅粒子
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2013-05-23 12:23:18
即Planarizing被干扰的，交叉阴影线样式或在以后独立小分队残滓， heteroepitaxial层表面介入化学制品机械擦亮表面与抛光模和与包括硅土微粒的泥浆
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2013-05-23 12:24:58
Planarizing被干扰的即，交叉阴影线样式或在以后独立小分队残滓， heteroepitaxial层表面介入化学制品机械擦亮表面用擦亮的垫和与包括硅土微粒的泥浆
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2013-05-23 12:26:38
例如平坦化感到不安，剖面线图案或售后脱离残留，表面的异质层涉及化学机械抛光表面与抛光垫和浆料组成二氧化硅粒子
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2013-05-23 12:28:18
planarizing扰如网状线图案或之后的分遣队残留物、表面heteroepitaxial层涉及到的化学机械抛光的表面抛光垫和硅颗粒组成浆
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