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2013-05-23 12:21
求翻译：The insertion of strained transitional layer(s) helps reduce threading dislocation densities proximate to a top surface of the relaxed buffer layer, thus semiconductor has reduced defects.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The insertion of strained transitional layer(s) helps reduce threading dislocation densities proximate to a top surface of the relaxed buffer layer, thus semiconductor has reduced defects.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
应变过渡层（次）的插入有助于减少穿透位错密度接近于驰豫缓冲层的顶面，从而半导体已经降低的缺陷。
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2013-05-23 12:23:18
紧张的过渡层数帮助的插入减少穿线靠近的位错密度到轻松的缓冲层数的一个顶面，因而半导体减少了瑕疵。
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2013-05-23 12:24:58
被劳损的过渡层数s帮助的(插入) 减少穿线位错密度靠近到轻松的缓冲层数的一个顶面，因而半导体减少了瑕疵。
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2013-05-23 12:26:38
插入的紧张过渡图层可以帮助减少线程位错密度接近轻松的缓冲层顶面，因而半导体已减少缺陷。
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2013-05-23 12:28:18
插入的紧张过渡层[s]有助于减少线程混乱密度接近一个表面的轻松的缓冲层,从而减少了缺陷半导体。
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