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2013-05-23 12:21
求翻译：The method reduces the trap density at an interface between an active layer of a multilayer semiconductor wafer and an insulating layer buried within the multilayer wafer under the active layer by exposing a multilayer wafer to a high temperature in a controlled neutral atmosphere into which a species, which can migrat是什么意思？ 待解决
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The method reduces the trap density at an interface between an active layer of a multilayer semiconductor wafer and an insulating layer buried within the multilayer wafer under the active layer by exposing a multilayer wafer to a high temperature in a controlled neutral atmosphere into which a species, which can migrat
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法在多层半导体晶片的有源层和由暴露的多层晶片到高温以受控的中性气氛到其中一个物种的有源层下埋入多层晶片内的绝缘层之间的界面降低了陷阱密度，它可以迁移到深度晶片下降到接口，被引入。
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2013-05-23 12:23:18
方法减少陷井密度在一个多层半导体片的活跃层数和在多层薄酥饼内被埋没的一块绝缘层之间的一个接口在活跃层数下通过暴露一个多层薄酥饼在高温在种类，可能移居入薄酥饼的深度下来到接口，被介绍的受控中立大气。
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2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:26:38
该方法可减少陷阱密度在现用图层的多层半导体晶圆片和埋在现用图层下的多层硅片内通过公开多层硅片高温在受控的中性气氛中成的隔热层之间的接口一个物种，可以将迁移到界面到硅片的深度介绍了。
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2013-05-23 12:28:18
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