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2013-05-23 12:21
求翻译：Provides semiconductor-on-insulator structure with a buried oxide layer that has good dielectric properties, good electrical interface with the silicon top layer and a good homogeneity in thickness. Enables control of thickness of thin or ultra-thin buried oxide layer in a desirable way, and decreases duration of post-是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Provides semiconductor-on-insulator structure with a buried oxide layer that has good dielectric properties, good electrical interface with the silicon top layer and a good homogeneity in thickness. Enables control of thickness of thin or ultra-thin buried oxide layer in a desirable way, and decreases duration of post-
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
提供使用具有良好的介电性能，与硅顶层良好的电接口和厚度的均匀性好埋入氧化层半导体 - 绝缘体结构。使在一个可取的方式薄或超薄埋入氧化物层的厚度的控制，并且减少后的粘接热处理的持续时间。所述第一氧化层的介电性能，可初步校准非常精确地说，不进入下一个热处理的帐户。
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2013-05-23 12:23:18
提供半导体在绝缘体结构以有好电介质物产、好电子接口与硅顶层和好同质性在厚度的被埋没的氧化物层数。使能稀薄或超薄的被埋没的氧化物层的厚度控制用一个中意的方式，并且减少之后接合热治疗的期间。第一氧化物层数的电介质物产可以非常精确地最初被校准，无需考虑到下热治疗。
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2013-05-23 12:24:58
提供半导体在绝缘体结构以有好电介质物产、好电子接口以硅顶层和好同质性在厚度的被埋没的氧化物层数。 使能稀薄或超薄的被埋没的氧化物层的厚度控制用一个中意的方式，并且减少岗位接合热治疗的期间。 第一氧化物层数的电介质物产可以非常精确地最初被校准，无需考虑到下热治疗。
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2013-05-23 12:26:38
半导体上绝缘子结构提供埋的氧化层厚度中具有良好的介电性能、 良好的电气接口与硅顶部图层和良好的均匀性。中可取的办法，使薄或超薄埋的氧化层厚度的控制和减少后粘接热处理的持续时间。介电特性的第一次的氧化层可以最初校准非常准确地说，没有考虑到下一次的热处理工艺。
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2013-05-23 12:28:18
提供了半导体的绝缘结构,一个被埋在氧化层,具有良好的介电特性、良好的电气接口与芯片顶层和一个良好的厚度均匀性。 可有效控制厚度的超薄或超薄氧化层埋在一个好的方法,减少持续时间的开机自检-绑定热处理。 介电特性的第一个氧化物层最初可非常精确地校准,而不考虑下一个热处理。
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