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2013-05-23 12:21
求翻译：The structures are free from dislocation type defects, even in the buried regions. The structures obtained may be readily used for epitaxial growth, on the SiGe or the Ge layers, of supplementary layers, for example of stressed silicon.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The structures are free from dislocation type defects, even in the buried regions. The structures obtained may be readily used for epitaxial growth, on the SiGe or the Ge layers, of supplementary layers, for example of stressed silicon.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的结构都不受位错型缺陷，即使是在埋层区。可以很容易地使用所获得的结构外延生长，在补充层的硅锗或锗层，例如强调硅。
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2013-05-23 12:23:18
结构是从脱臼类型瑕疵解脱，甚而在被埋没的地区。得到的结构也许为外延生长欣然使用，在西赫或Ge分层堆积，补充层，例如被注重的硅。
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2013-05-23 12:24:58
结构是从脱臼类型瑕疵解脱，甚而在被埋没的地区。 得到的结构也许为外延生长欣然使用，在SiGe或Ge分层堆积，补充层，例如被注重的硅。
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2013-05-23 12:26:38
结构是无脱位类型缺陷，即使在埋地的地区。获得的结构可能随时用于上硅锗或 Ge 层，补充的图层，例如的强调硅外延生长。
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2013-05-23 12:28:18
免费的结构是从混乱类型缺陷,即使在被埋区域。 获得的结构可能容易地用于外延增长,SiGe或ge图层,图层的补充,例如,强调芯片。
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