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2013-05-23 12:21
求翻译:The method permits to obtain high splicing energy even when only one of the surfaces to be spliced is activated by plasma before the splicing. The activation of only one wafer permits to provide gain in time and limit the metallic and particle contaminations generated by the exposure to the plasma to only one surface. 是什么意思? 待解决
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- 离问题结束还有
The method permits to obtain high splicing energy even when only one of the surfaces to be spliced is activated by plasma before the splicing. The activation of only one wafer permits to provide gain in time and limit the metallic and particle contaminations generated by the exposure to the plasma to only one surface.
问题补充: |
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2013-05-23 12:21:38
该方法允许获得即使只有一个将被拼接的表面用等离子拼接之前激活的高剪切能量。只有一个晶片许可证的激活来提供增益在时间和限制由暴露于等离子,以仅一个表面上生成的金属和颗粒污染物。因此,污染物的总体水平降低,活化和拼接之间必要的清洗操作被限制为仅一个表面上。该方法还允许剪接,其中一个表面不支持等离子体激活的同时,获得更好的剪接能量的表面。
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2013-05-23 12:23:18
既使当将被接合的仅一个表面被在接合前的等离子激活方法允许得到上流接合的能量。仅一个薄酥饼许可证的活化作用提供获取及时和限制对等离子的暴露引起的金属和微粒污秽对仅一表面。减少污秽的因此整体水平,并且清洁工作必要在活化作用和接合之间只被限制到一表面。
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2013-05-23 12:24:58
方法许可证得到上流接合的能量,既使当将被接合的仅一个表面被血浆激活在接合之前。 仅一个薄酥饼许可证的活化作用提供获取及时和限制对血浆的暴露引起的金属和微粒污秽对仅一表面。 减少污秽的因此整体水平,并且清洁操作必要在活化作用和接合之间只被限制到一表面。 方法也允许接合一表面不支持血浆活化作用,当得到更好接合的能量时的表面。
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2013-05-23 12:26:38
该方法允许获得高拼接能量,即使只拼接而成的表面激活了其中一个等离子体拼接之前。只有一个硅片的激活许可证提供增益在时间和限制生成的暴露于到只有一个表面等离子体的金属和微粒污染。因此减少了污染物的总体水平,并清洗操作必要激活之间和拼接仅限于只有一个面。该方法还允许要拼接在其中一个表面不支持等离子激活时获得更好地拼接能源的表面。
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2013-05-23 12:28:18
许可证的方法以获得高粘接能源即使在只有一个要接合表面激活之前,等离子的粘接。 激活的许可证只有一个晶片提供获得的时间和限制金属和微粒污染物的暴露所产生的等离子仅一个表面。 整体水平的污染物,因此减少了,清洁行动之间有必要的激活和接合是仅限于一个表面。 这种方法还允许以接合表面,其中的一个表面上不支持等离子激活而获得更好地接合能源。
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