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2013-05-23 12:21
求翻译：Fabrication of semiconductor structure involves growing crystalline epitaxial buffer layer on substrate having first material comprising germanium or III-V semiconductor or its alloy and growing crystalline epitaxial relaxed layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Fabrication of semiconductor structure involves growing crystalline epitaxial buffer layer on substrate having first material comprising germanium or III-V semiconductor or its alloy and growing crystalline epitaxial relaxed layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
半导体构造的制造方法涉及到在具有第一基底材料，其包含锗或III-V族半导体或它的合金和生长晶体外延弛豫层生长晶体外延缓冲层
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2013-05-23 12:23:18
生产半导体结构介入在有的基体的生长水晶外延缓冲层数包括锗的第一材料或III-V半导体或者它的合金和生长水晶外延轻松的层数
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2013-05-23 12:24:58
生产半导体结构在基体介入生长水晶外延缓冲层数有第一材料包括锗或III-V半导体或者它的合金和生长水晶外延轻松的层数
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2013-05-23 12:26:38
半导体结构的制造涉及生长晶体外延缓冲层衬底有第一次材料锗或 III-V 半导体或其合金组成和生长晶体外延轻松的层上
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2013-05-23 12:28:18
制造的半导体结构涉及越来越多结晶外延缓冲层基材上有一次物资包括锗或III-V半导体或其合金和结晶性外延增长放宽层
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