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2013-05-23 12:21
求翻译：The method: enables accurate control of the thickness and the composition of each of the III-V semiconductor materials; provides deposition of any combination of III-V semiconductor material layers, each having a desired thickness and composition; provides increased throughput of III-V semiconductor materials in compar是什么意思？ 待解决
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The method: enables accurate control of the thickness and the composition of each of the III-V semiconductor materials; provides deposition of any combination of III-V semiconductor material layers, each having a desired thickness and composition; provides increased throughput of III-V semiconductor materials in compar
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的方法：使厚度和每一个III-V族半导体材料的组合物的精确控制;提供的III-V半导体材料的层的任何组合的沉积，各自具有期望的厚度和成分，提供了通过III-V族增加半导体材料相比，传统的沉积方法中，从而降低了制造成本;使结构包括包括激光二极管，发光二极管，高频和功率二极管的III-V半导体材料的多个层的制造;提供的1000片每小时处理速度，轨迹是为100m 2，并提供1000的晶片每小时率器件的层结构;和每有效周期时间提供区域每片晶圆的0.1平方米每小时每晶片，从而相对于传统的化学气相沉积的方法提供了改进的处理速率。
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2013-05-23 12:23:18
这, 那; 这些, 那些
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2013-05-23 12:24:58
方法： 使能厚度的准确控制和每一III-V半导体材料的构成; 提供所有组合的III-V半导体物质层，有中的每一的证言个期望厚度和构成; 与常规证言方法比较，提供增加的生产量III-V半导体材料，因而减少制造费用; 使能生产结构包括III-V包括laser二极管， LEDs、高频率和力量二极管的半导体材料多层数; 提供1000个薄酥饼，轨道的处理率每个小时是100 m 2 并且提供率设备1000年薄酥饼层型结构每个小时; 并且提供区域每有效的周期每个0.1 m2薄酥饼 每个薄酥饼每个小时，因而方法提供被改进的处理率与常规化学气相沉积比较。
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2013-05-23 12:26:38
方法： 可以精确控制的厚度和组成的每个 III-V 半导体材料 ；提供的任何组合的 III-V 半导体沉积层材料，每个具有所需的厚度和组成 ；提供 III-V 半导体材料与常规沉积方法相比增加了吞吐量，从而降低了制造成本 ；使结构包括多个图层的组成激光二极管、 Led、 高频率和功率二极管 ； III-V 半导体材料的制备提供处理速率的晶圆片 1000年每小时，轨道是 100 m 2 和交付率设备层结构的 1000年硅片每小时 ；并提供每个有效周期时间每 0.1 m 2 每小时，硅片硅片面积因此该方法提供了改进的处理率相比常规化学气相沉积法。
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2013-05-23 12:28:18
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