|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Method for depositing bulk III-nitride semiconductor material on growth substrate for structure e.g. semiconductor device, involves decomposing metal trichloride to form group III precursor vapor that reacts with group V precursor vapor是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Method for depositing bulk III-nitride semiconductor material on growth substrate for structure e.g. semiconductor device, involves decomposing metal trichloride to form group III precursor vapor that reacts with group V precursor vapor
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
方法用于沉积散装III-氮化物半导体材料在生长衬底对于结构如半导体器件，包括金属分解三氯化形成III族前体蒸汽，与V族前体气相反应
|
|
2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:24:58
方法为在成长基体放置疏松III氮化物半导体材料为结构即。 半导体装置，介入分解金属三氯化物形成小组III起反应与小组v前体蒸气的前体蒸气
|
|
2013-05-23 12:26:38
例如半导体器件结构增长衬底上沉积散装 III-氮化物半导体材料的方法涉及到分解形式组 III 前体蒸气，反应组 V 前体蒸气与金属三氯化
|
|
2013-05-23 12:28:18
方法为存放大批III-氮化物半导体材料为基材的增长结构如半导体设备,包括已腐烂,形成金属桶或第三组作出反应前体蒸汽与组v前体蒸汽
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
