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2013-05-23 12:21
求翻译：Epitaxial deposition of monocrystalline Group III-Group V semiconductor wafer e.g. gallium nitride wafer involves heating gaseous Group III precursor to high-temperature, before entering in a reaction chamber to react with Group V component是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Epitaxial deposition of monocrystalline Group III-Group V semiconductor wafer e.g. gallium nitride wafer involves heating gaseous Group III precursor to high-temperature, before entering in a reaction chamber to react with Group V component
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
单晶的III-V族半导体晶片如外延沉积氮化镓晶圆包括加热气态III族前体以高温度，进入在反应室中与V族组分反应之前
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2013-05-23 12:23:18
单晶质的小组III小组v半导体片镓氮化物薄酥饼的即外延证言介入加热气体小组III前体到高温，在反应房间前起反应的输入与小组v组分
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2013-05-23 12:24:58
单晶质的小组III小组v半导体片的外延证言即。 镓氮化物薄酥饼介入加热气体小组III前体到高温，在反应房间之前起反应的进入与小组v组分
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2013-05-23 12:26:38
单晶硅组第三组 V 半导体硅片如镓氮化硅片外延沉积涉及加热到高温度、 气体组三前体在反应室组 V 分量与发生的反应中进入前
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2013-05-23 12:28:18
单晶外延沉积组III-V半导体晶片组如砷化镓氮化硅晶片涉及加热气体第三组前体,高温度,然后进入反应室中作出反应,第V组组件
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