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2013-05-23 12:21
求翻译：Fabricating a dilute nitride III-V semiconductor material comprises flowing a first set of process gases into a deposition chamber, and depositing a first layer over a substrate in the deposition chamber from the first set of process gases是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Fabricating a dilute nitride III-V semiconductor material comprises flowing a first set of process gases into a deposition chamber, and depositing a first layer over a substrate in the deposition chamber from the first set of process gases
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
一种制造氮化物稀III-V族半导体材料包括流的第一组工艺气体进入沉积室中，并从所述第一组工艺气体的沉积第一层在衬底上淀积室中的
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2013-05-23 12:23:18
制造稀释氮化物III-V半导体材料包括流动第一套处理气体入证言房间和放置第一层数在证言房间的一个基体从第一套处理气体
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2013-05-23 12:24:58
制造稀释氮化物III-V半导体材料在证言房间包括流动第一套处理气体入证言房间和放置第一层数在一个基体从第一套处理气体
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2013-05-23 12:26:38
制作稀氮化 III-V 半导体材料包括第一套过程气体流入沉积室，和第一层沉积在基片表面沉积室从过程气体的第一套
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2013-05-23 12:28:18
编造一个削弱氮化钛III-V半导体材料组成的第一套流动的过程气体沉积到一个分庭,并交存一项在第一个图层中的纸张的书面供词分庭,从第一组的过程气体
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