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2013-05-23 12:21
求翻译：The obtained chemical etchant is capable of removing Ge and Ge-rich SiGe alloys such that the surface roughness of the etched Ge or Ge-rich SiGe alloy does not increase significantly and such that the removal is uniform across the entire surface of the wafer. Preferably, the surface roughness does not increase by more 是什么意思？ 待解决
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The obtained chemical etchant is capable of removing Ge and Ge-rich SiGe alloys such that the surface roughness of the etched Ge or Ge-rich SiGe alloy does not increase significantly and such that the removal is uniform across the entire surface of the wafer. Preferably, the surface roughness does not increase by more
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
所得到的化学腐蚀剂是能够除去锗和锗的富硅锗合金，使得该去除是均匀的穿过晶片的整个表面蚀刻锗或锗的富硅锗合金的表面粗糙度不显著和这样增加。优选地，表面粗糙度不通过根的10％以上的增加每蚀刻的含锗材料的100nm的均方值，以及蚀刻速率的穿过晶片的均匀性通常低于5％更好。
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2013-05-23 12:23:18
获得的化工etchant能够去除Ge，并且Ge丰富的西赫熔合这样被铭刻的Ge或Ge丰富的西赫合金的地面粗糙度不极大增加和这样撤除横跨薄酥饼的整个表面是一致的。更好地，地面粗糙度不由超过10%根每100被铭刻的毫微米的均方价值锗包含的材料增加，并且铭刻率的均一横跨薄酥饼的比5%典型地好。
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2013-05-23 12:24:58
获得的化工etchant是能去除Ge，并且富有Ge的SiGe熔合这样被铭刻的Ge或富有Ge的SiGe合金的地面粗糙度不极大增加和这样撤除横跨薄酥饼的整个表面是一致的。 更好地，地面粗糙度不增加超过10%每100被铭刻的毫微米的根均方价值锗包含的材料，并且铭刻率的均一横跨薄酥饼比5%典型地好。
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2013-05-23 12:26:38
获得化学蚀刻液是能够消除 Ge 和 Ge 富硅锗合金这样的蚀刻的 Ge 富锗硅合金表面粗糙度并不显著增加和这样去除是统一的晶圆片的整个表面。最好是，表面粗糙度不会增加 10%以上的均方根值每 100 毫微米的含锗材料蚀刻，和均匀性的跨晶圆片的刻蚀速率是通常优于 5%。
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2013-05-23 12:28:18
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