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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The method enables improving CVD of semiconductor material by promoting efficient thermalization of precursor gases in reaction. The method enables improving process gas thermalization leading to improved efficiency of intended growth reaction, thus reducing efficiency of unintended reactions, adduct formation and inco是什么意思?

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The method enables improving CVD of semiconductor material by promoting efficient thermalization of precursor gases in reaction. The method enables improving process gas thermalization leading to improved efficiency of intended growth reaction, thus reducing efficiency of unintended reactions, adduct formation and inco
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
该方法能够通过促进前驱物气体的高效热化反应提高半导体材料的化学气相沉积。该方法能够提高工艺气体热化导致预期增长反应提高效率,从而减少意外反应的效率,加合物形成和不必要的复合物或物种纳入一个不断增长的外延层。该方法能够减少不必要的沉积在其外表反应器中在通过防止被热能化的前体气体从接触壁的温度下,从而提高了清洁和反应器的寿命。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
方法通过促进前体气体的高效率的热化使能改进半导体材料CVD在反应的。方法使能改进导致意欲的成长反应被改进的效率的处理气体热化,因而减少不愿意的反应效率,加合物不需要的复合体或种类的形成和并网入一层生长外延层。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
方法通过促进前体气体的高效率的热化在反应使能改进半导体材料CVD。 方法使能改进导致意欲的成长反应被改进的效率的处理气体热化,因而减少不愿意的反应效率,加合物不需要的复合体或种类的形成和并网入一层增长的外延层。 方法在一台外面反应器使能减少不需要的证言在低温通过防止被热化的前体气体与墙壁联系,因而改进反应器的洁净和终身。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
该方法使通过促进高效热化前体中的气体反应改善 CVD 的半导体材料。改进过程气热化导致预期的增长反应,从而减少意外的反应,效率的提高效率的方法使加合物形成和不断增长的外延材料的有害的物或物种纳入。该方法通过防止 thermalized 的前体气体接触墙壁,从而改善清洁度和反应器的生存期使减少有害的沉积外反应器在较低温度。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
这种方法可以改善CVD的半导体材料,促进有效的前体气体thermalization的反应。 这种方法可以提高流程气体thermalization导致提高效率的增长反应,从而减少效率的意外反应,并将之纳入adduct形成园区的有害物种epilayer日益增长。 这种方法可以减少多余的物质沉积在反应堆外在较低的温度,防止前体thermalized气体接触墙壁,从而改善清洁和寿命反应堆。
 
 
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