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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:Method of forming semiconductor structure for electronic device, involves forming semiconductor sublayers such that net rates of incorporation of indium gallium nitride into growth surface of semiconductor sublayer are equal是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
Method of forming semiconductor structure for electronic device, involves forming semiconductor sublayers such that net rates of incorporation of indium gallium nitride into growth surface of semiconductor sublayer are equal
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
形成半导体结构的电子装置的方法,包括形成半导体子层,使得掺入的铟镓氮化物成半导体子层的生长表面的净速率是相等的
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
形成电子设备的半导体结构方法,介入形成半导体下层这样铟镓氮化物的并网的网率到半导体下层里成长表面是相等的
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
形成半导体结构方法为电子设备,介入形成半导体下层这样铟镓氮化物的并网的净率到半导体下层里成长表面是相等的
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
形成电子设备,半导体结构的方法涉及到这样的半导体子层的生长表面氮化铟镓纳入净率相等形成半导体子层
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
方法形成半导体结构的电子设备,包括形成半导体两个子层,这种纳入的差饷净额的铟砷化镓氮化物在增长的半导体层表面上的平等
 
 
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