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2013-05-23 12:21
求翻译：Method for measuring defects in fully depleted silicon on insulator type silicon substrate that is utilized for realization of e.g. electronic component, involves calculating original size of defects in surface layer of silicon substrate是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Method for measuring defects in fully depleted silicon on insulator type silicon substrate that is utilized for realization of e.g. electronic component, involves calculating original size of defects in surface layer of silicon substrate
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
测定方法的缺陷在全耗尽硅上，是用于实现例如绝缘子型硅衬底电子部件，包括计算的缺陷原始尺寸在硅衬底的表面层
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2013-05-23 12:23:18
测量的即方法在为电子元件的认识被运用充分地的被耗尽的绝缘体上硅薄膜类型硅体在硅体表层背叛，介入瑕疵的计算的原始尺寸
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2013-05-23 12:24:58
方法为在充分地被耗尽的硅测量瑕疵在为认识即被运用的绝缘体类型硅体。 电子元件，在硅体表层介入瑕疵的计算的原始尺寸
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2013-05-23 12:26:38
测量用于例如电子组件实现的绝缘子类型硅基板上完全耗尽硅中缺陷的方法涉及到计算中的硅衬底表面层缺陷的原始大小
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2013-05-23 12:28:18
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