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2013-05-23 12:21
求翻译：Providing a silicon layer on a doped layer allows for easy conversion into n- or p-doped back-biasing regions for SOI transistors of a logic portion, realizing manufacture of an embedded DRAM integrated with the logic portion without requiring wafer processing for preparing formation of the back-biasing region.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Providing a silicon layer on a doped layer allows for easy conversion into n- or p-doped back-biasing regions for SOI transistors of a logic portion, realizing manufacture of an embedded DRAM integrated with the logic portion without requiring wafer processing for preparing formation of the back-biasing region.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
提供上的掺杂层的硅层可以很容易地转换成n或用于逻辑部分的SOI晶体管，实现了制造的嵌入式DRAM集成在逻辑部分，而无需晶片处理制备形成的p型掺杂的背偏置区域背偏置区域。
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2013-05-23 12:23:18
提供硅层数在被掺杂的层数考虑到p被掺杂容易的转换入n-或反馈加偏压逻辑部分的SOI晶体管的地区，体会一个嵌入微量的制造集成与逻辑部分，无需要求处理的薄酥饼准备的反馈加偏压的区域的形成。
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2013-05-23 12:24:58
提供硅层数在被掺杂的层数考虑到容易的转换入n-或p被掺杂偏心地区为逻辑部分的SOI晶体管，体会一个嵌入微量的制造集成与逻辑部分，无需要求薄酥饼处理为准备偏心的区域的形成。
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2013-05-23 12:26:38
提供掺杂图层上的硅层允许很容易转化为 n 或 p 掺杂背偏地区 SOI 晶体管逻辑部分的实现的嵌入式 DRAM 制造与集成的逻辑部分无需晶圆加工准备回偏置区的形成。
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2013-05-23 12:28:18
硅层提供了一个在一个麻痹层可以方便地转换成n或P-麻痹后偏置的SOI晶体管区域的一个逻辑部分,实现制造的一个嵌入式DRAM集成部分的逻辑而不需要晶片加工的准备成立的背面偏置区域。
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