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2013-05-23 12:21
求翻译：The method allows the insulating layer formed between the germanium layer and the substrate to improve the electrical qualities of the structure, facilitates manufacturing of the structure, and ensures better adhesion of the germanium layer on the substrate. The heat treatment is performed in the intermediate structure是什么意思？ 待解决
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The method allows the insulating layer formed between the germanium layer and the substrate to improve the electrical qualities of the structure, facilitates manufacturing of the structure, and ensures better adhesion of the germanium layer on the substrate. The heat treatment is performed in the intermediate structure
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法允许在锗层和基片，以提高该结构的电特性之间形成绝缘层，有利于制造的结构，并且可以确保在基板上的锗层的更好的粘附性。在中间结构进行中性或还原性气氛下的热处理在800-900摄氏度的温度，并以所确定的时段通过锗层扩散到二氧化硅层的氧的一部分，从而导致部分或全部溶解该二氧化硅层的。该方法限制了晶体缺陷，导致在硅和锗之间循环的参数不一致的外观，并限制了锗和硅的相互扩散的现象。
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2013-05-23 12:23:18
方法准许绝缘层被形成在锗层数和基体之间改进结构的电子质量，促进制造结构，并且保证锗层数的更好的黏附力在基体的。
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2013-05-23 12:24:58
方法在基体准许绝缘层被形成在锗层数和基体之间改进结构的电子质量，促进结构的制造业，并且保证锗层数的更好的黏附力。 热治疗在中间结构在中性之下或还原气层进行在温度800-900摄氏度和为了坚定的期间能通过锗层数散开一部分的二氧化硅层数的氧气，因而带领二氧化硅层数的部份或总溶解。 方法限制导致圈的分歧参量在硅和锗之间晶体缺陷的出现，并且限制锗和硅相互扩散现象。
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2013-05-23 12:26:38
该方法允许锗层和基体，提高结构的电气素质之间形成的隔热层、 促进制造业的结构，并确保更好地粘附在基体上的锗层。热处理执行中的中间结构在温度摄氏 800-900 度的中性或还原气氛下，确定的时期，弥漫的氧的硅二氧化锗层，通过图层的一部分从而导致主要部分或全部溶解的硅氧化层。方法限制导致分歧参数的回路之间硅和锗的晶体缺陷的外观，并限制了锗和硅间扩散的现象。
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2013-05-23 12:28:18
该方法使绝缘层之间形成的锗层和基材,改善电源质量的结构,有助于制造业的结构,并确保更好地附着在锗层的基体上。 热处理是在执行的中间结构,在一个中立的或减少大气的温度在800摄氏度和确定期间,传播的一部分供氧的二氧化硅层,经锗层,从而导致部分或全部解散的二氧化硅层。 这种方法限制了外观的晶体缺陷,会导致分歧参数之间的环路的硅和锗,并且限制对这种传播的锗和硅片上。
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