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2013-05-23 12:21
求翻译：Electronic device e.g. Metal-Insulator-Semiconductor FET, fabricating method, involves etching portion of surface layer of device, and realizing epitaxy action to grow covering layer on etched surface layer after etching step是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Electronic device e.g. Metal-Insulator-Semiconductor FET, fabricating method, involves etching portion of surface layer of device, and realizing epitaxy action to grow covering layer on etched surface layer after etching step
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
电子设备如金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管，其制造方法，涉及到装置的表面层的蚀刻的部分，并实现外延动作蚀刻步骤后生长在蚀刻的表面层，覆盖层
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2013-05-23 12:23:18
即电子设备金属绝缘体半导体FET，制造的方法，介入铭刻设备表层的部分和体会外延行动增长报道在被铭刻的表层的层数在铭刻步以后
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2013-05-23 12:24:58
电子设备即。 金属绝缘体半导体FET，制造的方法，在被铭刻的表层介入设备和体会外延行动表层的蚀刻部分在蚀刻步以后生长覆盖物层数
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2013-05-23 12:26:38
电子设备如金属-绝缘体-半导体晶体管、 制备方法，涉及蚀刻的表面层的设备，部分和实现外延行动在刻蚀步骤后成长上蚀刻表面层覆盖层
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2013-05-23 12:28:18
电子设备如metal-insulator-半导体场效应管,制造方法,涉及到蚀刻部分的表面层的设备,并实现与磊晶行动,增加涂层的表面层蚀刻蚀刻后步骤
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