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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The appropriate lattice parameter is provided to reduce the lattice mismatch with epitaxial film. The degree of strain introduced into III-nitride material is preserved while maintaining a reasonably low defect density.是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
The appropriate lattice parameter is provided to reduce the lattice mismatch with epitaxial film. The degree of strain introduced into III-nitride material is preserved while maintaining a reasonably low defect density.
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
适当的晶格参数被提供,以减少晶格失配外延膜。应变导入III族氮化物材料的程度,同时保持合理的低缺陷密度保持不变。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
适当的格子参量提供减少与外延影片的格子配错。程度张力被介绍入III氮化物材料被保存,当维护合理地低瑕疵密度时。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
提供适当的格子参量减少格子配错与外延影片。 程度张力被介绍入III氮化物材料被保存,当维护合理地低瑕疵密度时。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
提供适当的晶格参数,以减少与外延膜的晶格不匹配。引入第三-氮化物材料的应变的程度得到保护,同时保持合理的低缺陷密度。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
适当的参数都提供了窗棂,窗棂之间不匹配的减少与外延膜。 在何种程度上引入的应力三-氮化硅材料是保留,同时保持一个合理的低缺陷密度。
 
 
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